MBT3904DW1T1G、MBT3904DW2T1、MBT3904DW1T3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 MBT3904DW1T1G MBT3904DW2T1 MBT3904DW1T3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsNPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363

引脚数 6 - 6

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 625 mW 150 mW

增益频宽积 - 300 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

频率 300 MHz - 300 MHz

额定功率 150 mW - -

针脚数 6 - 6

直流电流增益(hFE) 300 - 100

耗散功率(Max) 150 mW - 150 mW

长度 2.2 mm 2 mm 2.2 mm

宽度 1.35 mm 1.25 mm 1.35 mm

高度 1 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -