MUN5131DW1T1G、MUN5131T1G、MUN5131DW1T1对比区别

高亮显示差异参数

型号 MUN5131DW1T1G MUN5131T1G MUN5131DW1T1

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsMUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 3 -

封装 SC-70-6 SC-70-3 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP -

耗散功率 0.385 W 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 8 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW 202 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 385 mW 310 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V - -

封装 SC-70-6 SC-70-3 -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -