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MMUN2215LT1G

MMUN2215LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23

单电阻器数字,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 单电阻器数字晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3


立创商城:
NPN 双极数字晶体管 BRT


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G.  晶体管, 带电阻, 50V, 10KΩ, SOT-23


艾睿:
Are you looking to build a digital signal processing device? The NPN MMUN2215LT1G digital transistor, developed by ON Semiconductor, can provide a solution. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 160@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MMUN2215LT1G NPN Digital Transistor, 100mA 50V 10 kOhm, Ratio Of None, 3-Pin SOT-23


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; 10kΩ


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3


MMUN2215LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMUN2215LT1G引脚图与封装图
MMUN2215LT1G引脚图

MMUN2215LT1G引脚图

MMUN2215LT1G封装焊盘图

MMUN2215LT1G封装焊盘图

在线购买MMUN2215LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMUN2215LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23 搜索库存
替代型号MMUN2215LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMUN2215LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23

当前型号

型号: MMUN2241LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW

类似代替

ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

MMUN2215LT1G和MMUN2241LT1G的区别

型号: MMUN2215LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23/SC-59 NPN 50V 100mA

类似代替

MMUN2215LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8E ESD保护

MMUN2215LT1G和MMUN2215LT1的区别

型号: PDTC114TT,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 N-Channel 250mW

功能相似

NXP  PDTC114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23

MMUN2215LT1G和PDTC114TT,215的区别