MMUN2215LT1G、PDTC114TT,215、MMUN2241LT1G对比区别

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型号 MMUN2215LT1G PDTC114TT,215 MMUN2241LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23NXP  PDTC114TT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 0.4 W 0.25 W 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 160

最大电流放大倍数(hFE) 160 - 160

额定功率(Max) 400 mW 250 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW - 400 mW

长度 3.04 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 1.01 mm 1 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -