MMUN2215LT1G、MMUN2241LT1G、MMUN2215LT1对比区别

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型号 MMUN2215LT1G MMUN2241LT1G MMUN2215LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2215LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-23ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。MMUN2215LT1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 增益160-350 SOT-23/SC-59 marking/标记 A8E ESD保护

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.4 W 0.4 W 246 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 160 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 160 160 160

额定功率(Max) 400 mW 246 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 1.01 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -