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MMBF4393LT1、MMBF4393LT1G、MMBF4393LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4393LT1 MMBF4393LT1G MMBF4393LT3G

描述 MMBF4393LT1 N沟道结型场效应管 30v 5~30mA SOT-23 marking/标记 p6G 模拟开关ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFETJFET开关晶体管 JFET Switching Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 - -30.0 V 30.0 V

漏源极电阻 100 Ω 100 Ω 100 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 225 mW 225 mW

输入电容 - 14 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 50.0 mA -

击穿电压 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 14pF @15V(Vds) 14pF @15V(Vds) 14pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 225 mW 225 mW

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99