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LMV358QDR

LMV358QDR

TI(德州仪器) 主动器件

低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

通用 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LMV358QDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz, RRO operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Voltage Rail-to-Rail Out


艾睿:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Low-Voltage Rail-to-Rail Output Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R O/P 5.5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMV358QDR  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V to 5.5V, SOIC, 8 Pins


LMV358QDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 210 µA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 50dB ~ 65dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K

带宽 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV

输入偏置电流 15 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 1 MHz

共模抑制比Min 50 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

LMV358QDR引脚图与封装图
LMV358QDR引脚图

LMV358QDR引脚图

LMV358QDR封装图

LMV358QDR封装图

LMV358QDR封装焊盘图

LMV358QDR封装焊盘图

在线购买LMV358QDR
型号 制造商 描述 购买
LMV358QDR TI 德州仪器 低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号LMV358QDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LMV358QDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 2Channel 8Pin

当前型号

低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: LMV358MX/NOPB

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 2Channel 8Pin

类似代替

TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8

LMV358QDR和LMV358MX/NOPB的区别

型号: LMV358QD

品牌: 德州仪器

封装: 8-SOIC 1MHz 2Channel 8Pin

类似代替

LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

LMV358QDR和LMV358QD的区别

型号: LMV358QDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 1MHz 2Channel 8Pin

类似代替

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LMV358QDR和LMV358QDG4的区别