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LMV358QDR、LMV358MX/NOPB、LMV358LIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV358QDR LMV358MX/NOPB LMV358LIDT

描述 低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8LMV358L 系列 5.5 V 1.3 MHz 通用 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

供电电流 210 µA 210 µA 130 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 -

共模抑制比 50dB ~ 65dB 50 dB 85 dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K -

带宽 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs -

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 1 mV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 27 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 72 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 6V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

输出电流 - 60.0 mA 46 mA

针脚数 - 8 8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99