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LMV358QD、LMV358QDR、LMV358M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV358QD LMV358QDR LMV358M

描述 LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments低电压轨到轨输出运算放大器 LOW-VOLTAGE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  LMV358M  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 1 V/µs, 2.7V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 5.00 V

输出电流 - - 60.0 mA

供电电流 210 µA 210 µA 210 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 50 dB 50dB ~ 65dB 50 dB

输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K 5.00 µV/K

带宽 1.00 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 1.7 mV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 15 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 50 dB

电源电压 - 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15