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LMC662CM/NOPB

LMC662CM/NOPB

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8

CMOS ,LMC/LPC 系列


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 LMC662CM/NOPB 双 精确, 1.4MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
LMC662CM/NOPB


德州仪器TI:
Dual, 15.5-V, 1.4-MHz, low-offset-drift operational amplifier


e络盟:
芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R O/P 15.5V Automotive 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8-Pin SOIC N Rail


Chip1Stop:
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8-Pin SOIC N Rail


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R O/P 15.5V Automotive 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1.4 MHz, 1.1 V/µs, 4.75V to 15.5V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OP AMP DUAL CMOS 8-SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1.4MHZ RRO 8SOIC


LMC662CM/NOPB中文资料参数规格
技术参数

输出电流 22mA @5V

供电电流 750 µA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 63 dB

输入补偿漂移 1.30 µV/K

带宽 1.4 MHz

转换速率 1.10 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz

输入补偿电压 1 mV

输入偏置电流 0.002 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 1.4 MHz

共模抑制比Min 63 dB

电源电压 4.75V ~ 15.5V

电源电压Max 15.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

LMC662CM/NOPB引脚图与封装图
LMC662CM/NOPB引脚图

LMC662CM/NOPB引脚图

LMC662CM/NOPB封装图

LMC662CM/NOPB封装图

LMC662CM/NOPB封装焊盘图

LMC662CM/NOPB封装焊盘图

在线购买LMC662CM/NOPB
型号 制造商 描述 购买
LMC662CM/NOPB TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8 搜索库存
替代型号LMC662CM/NOPB
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LMC662CM/NOPB

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 1.4MHz 2Channel 8Pin

当前型号

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