LMC662AIMX、LMC662CM/NOPB、LMC662AIM/NOPB对比区别

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型号 LMC662AIMX LMC662CM/NOPB LMC662AIM/NOPB

描述 LMC662 CMOS双路运算放大器 LMC662 CMOS Dual Operational AmplifierTEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  LMC662AIM/NOPB  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 16.0 V

工作电压 - - 4.75V ~ 15.5V

输出电流 22mA @5V 22mA @5V 22mA @5V

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 63dB ~ 83dB 63 dB 70 dB

输入补偿漂移 1.30 µV/K 1.30 µV/K 1.30 µV/K

带宽 - 1.4 MHz 1.4 MHz

转换速率 1.10 V/μs 1.10 V/μs 1.10 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 0.002 pA 0.002 pA 0.002 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz 1.4 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 63 dB 70 dB

电源电压 - 4.75V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V

电源电压(Max) 15.5 V 15.5 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -