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LMC662AIM、LMC662CM/NOPB、LMC662AIMX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC662AIM LMC662CM/NOPB LMC662AIMX

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC662AIM  运算放大器, 双路, 1.4 MHz, 2个放大器, 1.1 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LMC662CM/NOPB  芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8LMC662AIMX

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

输出电流 22mA @5V 22mA @5V 21.0 mA

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 1.30 µV/K 1.30 µV/K 1.30 µV/K

转换速率 1.10 V/μs 1.10 V/μs 1.10 V/μs

增益频宽积 1.4 MHz 1.4 MHz 1.40 MHz

供电电流 750 µA 750 µA -

电路数 2 2 -

针脚数 8 8 -

共模抑制比 70 dB 63 dB -

带宽 1.4 MHz 1.4 MHz -

输入补偿电压 1 mV 1 mV -

输入偏置电流 0.002 pA 0.002 pA -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

增益带宽 1.4 MHz 1.4 MHz -

共模抑制比(Min) 70 dB 63 dB -

电源电压 4.75V ~ 15.5V 4.75V ~ 15.5V -

电源电压(Max) 15.5 V 15.5 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

电源电压(DC) 5.00 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.45 mm 1.45 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -