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2N7002K-7、LBSS123LT1G、2N7002K-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002K-7 LBSS123LT1G 2N7002K-E3

描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3MOS(场效应管)/LBSS123LT1GSOT-23 N-CH 60V 0.3A

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Leshan Radio (乐山无线电) VISHAY (威世)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

漏源极电阻 2 Ω 6 Ω -

极性 N-Channel N N-CH

阈值电压 1.6 V 0.8 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 0.17A 0.3A

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 30pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 370mW (Ta) - 350 mW

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

耗散功率 350 mW - -

上升时间 3.4 ns - -

额定功率(Max) 370 mW - -

下降时间 9.9 ns - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

宽度 1.3 mm - -

产品生命周期 Active Unknown -

最小包装 - 3000 -

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

材质 - - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -