KSE803
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
电子元器件分类
KSE803中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126
外形尺寸
封装 TO-126
其他
产品生命周期 Unknown
KSE803引脚图与封装图
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在线购买KSE803
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSE803 | Fairchild 飞兆/仙童 | 整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors | 搜索库存 |
替代型号KSE803
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSE803 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： | 当前型号 | 整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors | 当前型号 |
| 型号： BU508DF 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | Silicon Diffused Power Transistor | KSE803和BU508DF的区别 |
| 型号： KSA1010 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor | KSE803和KSA1010的区别 |
| 型号： KSD560 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor | KSE803和KSD560的区别 |
