BU508DF、KSE803、2SD1830对比区别

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型号 BU508DF KSE803 2SD1830

描述 Silicon Diffused Power Transistor整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors(2SB1228/2SD1830) PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) Fairchild (飞兆/仙童) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-126 TO-220

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 4A -

封装 - TO-126 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - -