KSD560、KSE803、2SD1830对比区别

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型号 KSD560 KSE803 2SD1830

描述 Power Bipolar Transistor整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter ResistorsTO-220ML NPN 100V 8A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-126 TO-220

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 100 V

集电极最大允许电流 - 4A 8A

封装 - TO-126 TO-220

产品生命周期 Active Unknown Unknown

RoHS标准 - - RoHS Compliant