KSA1010、KSE803对比区别

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型号 KSA1010 KSE803

描述 Power Bipolar Transistor整体结构采用内置基射极电阻器 Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-126

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 4A

封装 - TO-126

产品生命周期 Active Unknown