BSV52,215、NSS12201LT1G、BZX585-B5V6,115对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSV52,215 NSS12201LT1G BZX585-B5V6,115

描述 NXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  NSS12201LT1G  双极性晶体管, NPN, 12V SOT-23300mW，BZX585 系列，NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% (BZX585-B) 和 5% (BZX585-C) 表面安装外壳，SOD-523 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 2

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOD-523

容差 - - ±2 %

针脚数 3 3 2

正向电压 - - 1.1V @100mA

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 250 mW 540 mW 300 mW

测试电流 - - 5 mA

稳压值 - - 5.6 V

正向电压(Max) - - 1.1V @100mA

额定功率(Max) 250 mW 460 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 540 mW 300 mW

频率 500 MHz 150 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V -

集电极最大允许电流 0.1A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 200 @500mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 25 @1mA, 1V - -

直流电流增益(hFE) 40 200 -

无卤素状态 - Halogen Free -

增益频宽积 - 150 MHz -

长度 - 2.9 mm 1.25 mm

宽度 - 1.3 mm 0.85 mm

高度 - 0.94 mm 0.65 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOD-523

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

温度系数 - - 1 mV/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -