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BD138G

BD138G

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ON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新

The versatility of this PNP GP BJT from makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

BD138G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.50 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD138G引脚图与封装图
BD138G引脚图

BD138G引脚图

在线购买BD138G
型号 制造商 描述 购买
BD138G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新 搜索库存
替代型号BD138G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BD138G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-225 PNP -60V -1.5A 1250mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新

当前型号

型号： BD138

品牌： 安森美

封装： TO-225AA PNP -60V -1.5A

完全替代

塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

BD138G和BD138的区别

型号： BD1386STU

品牌： 飞兆/仙童

封装：

类似代替

Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail

BD138G和BD1386STU的区别

型号： BD1386S

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-126 PNP

类似代替

Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk

BD138G和BD1386S的区别