BD1386STU、BD138G、BD1386S对比区别

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型号 BD1386STU BD138G BD1386S

描述 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -1.50 A -

针脚数 - 3 -

极性 - PNP PNP

耗散功率 - 12.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1250 mW -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99