BD1386S、BD138G、BD138对比区别

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型号 BD1386S BD138G BD138

描述 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新12.5W Switching PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 1.5A Ic, 40 - 250 hFE. Complementary BD137

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Continental Device

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-126-3 TO-126-3 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -1.50 A -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 12.5 W -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1250 mW -

封装 TO-126-3 TO-126-3 -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -