容差 ±0.04 %
输出电压 4.096 V
输出电流 10 mA
供电电流 800 µA
输入电压Max 20 V
输出电压Max 4.096 V
输出电压Min 4.096 V
输出电流Max 10 ma
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
输入电压 6.1V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TA
温度系数 ±3 ppm/℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ADR434TRZ-EP-R7引脚图
ADR434TRZ-EP-R7封装图
ADR434TRZ-EP-R7封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR434TRZ-EP-R7 | ADI 亚德诺 | 串联 10mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ADR434TRZ-EP-R7 品牌: ADI 亚德诺 封装: SOIC 8Pin | 当前型号 | 串联 10mA | 当前型号 | |
型号: ADR434TRZ-EP 品牌: 亚德诺 封装: NSOIC 8Pin | 类似代替 | ANALOG DEVICES ADR434TRZ-EP 电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8 | ADR434TRZ-EP-R7和ADR434TRZ-EP的区别 | |
型号: ADR434BR 品牌: 亚德诺 封装: | 功能相似 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | ADR434TRZ-EP-R7和ADR434BR的区别 | |
型号: ADR434BR-REEL7 品牌: 亚德诺 封装: | 功能相似 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | ADR434TRZ-EP-R7和ADR434BR-REEL7的区别 |