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ADR434TRZ-EP-R7

ADR434TRZ-EP-R7

数据手册.pdf
ADI(亚德诺) 主动器件

串联 10mA

系列 电压基准 IC ±0.04% 8-SOIC


得捷:
LOW NOISE XFET VOLTAGE REFERENCE


立创商城:
串联 10mA


艾睿:
V-Ref Precision 4.096V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
V-Ref Precision 4.096V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
V-Ref Precision 4.096V 10mA 8-Pin SOIC N T/R


ADR434TRZ-EP-R7中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.04 %

输出电压 4.096 V

输出电流 10 mA

供电电流 800 µA

输入电压Max 20 V

输出电压Max 4.096 V

输出电压Min 4.096 V

输出电流Max 10 ma

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

输入电压 6.1V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TA

温度系数 ±3 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ADR434TRZ-EP-R7引脚图与封装图
ADR434TRZ-EP-R7引脚图

ADR434TRZ-EP-R7引脚图

ADR434TRZ-EP-R7封装图

ADR434TRZ-EP-R7封装图

ADR434TRZ-EP-R7封装焊盘图

ADR434TRZ-EP-R7封装焊盘图

在线购买ADR434TRZ-EP-R7
型号 制造商 描述 购买
ADR434TRZ-EP-R7 ADI 亚德诺 串联 10mA 搜索库存
替代型号ADR434TRZ-EP-R7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ADR434TRZ-EP-R7

品牌: ADI 亚德诺

封装: SOIC 8Pin

当前型号

串联 10mA

当前型号

型号: ADR434TRZ-EP

品牌: 亚德诺

封装: NSOIC 8Pin

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型号: ADR434BR

品牌: 亚德诺

封装:

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