ADR434BR-REEL7、ADR434TRZ-EP-R7、ADR434BR对比区别

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型号 ADR434BR-REEL7 ADR434TRZ-EP-R7 ADR434BR

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability串联 10mA超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

容差 - ±0.04 % -

输出电压 - 4.096 V -

输出电流 - 10 mA -

供电电流 - 800 µA -

输入电压(Max) - 20 V -

输出电压(Max) - 4.096 V -

输出电压(Min) - 4.096 V -

输出电流(Max) - 10 ma -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

输入电压 - 6.1V ~ 18V -

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -

温度系数 - ±3 ppm/℃ -