ADR434BR、ADR434TRZ-EP-R7、ADR434TRZ-EP对比区别

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型号 ADR434BR ADR434TRZ-EP-R7 ADR434TRZ-EP

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability串联 10mAANALOG DEVICES  ADR434TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

容差 - ±0.04 % ±0.04 %

输出电压 - 4.096 V 4.096 V

输出电流 - 10 mA 10 mA

供电电流 - 800 µA 800 µA

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

输入电压(Max) - 20 V 20 V

输出电压(Max) - 4.096 V 4.0975 V

输出电压(Min) - 4.096 V 4.096 V

输出电流(Max) - 10 ma 10 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电压 - 6.1V ~ 18V 6.1V ~ 18V

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 125℃

温度系数 - ±3 ppm/℃ ±1 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99