ADR434TRZ-EP、ADR434TRZ-EP-R7、ADR434BR对比区别

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型号 ADR434TRZ-EP ADR434TRZ-EP-R7 ADR434BR

描述 ANALOG DEVICES  ADR434TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8串联 10mA超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

容差 ±0.04 % ±0.04 % -

输出电压 4.096 V 4.096 V -

输出电流 10 mA 10 mA -

供电电流 800 µA 800 µA -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

输入电压(Max) 20 V 20 V -

输出电压(Max) 4.0975 V 4.096 V -

输出电压(Min) 4.096 V 4.096 V -

输出电流(Max) 10 mA 10 ma -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

输入电压 6.1V ~ 18V 6.1V ~ 18V -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ (TA) -

温度系数 ±1 ppm/℃ ±3 ppm/℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -