锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AU5517DR2G

AU5517DR2G

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

双通道互导放大器

The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit performance is enhanced through the use of linearizing diodes at the inputs which enable a 10 dB signal-to-noise improvement referenced to 0.5% THD. The AU5517/NE5517 is suited for a wide variety of industrial and consumer applications. Constant impedance of the buffers on the chip allow general use of the AU5517/NE5517. These buffers are made of Darlington transistors and a biasing network that virtually eliminate the change of offset voltage due to a burst in the bias current IABC, hence eliminating the audible noise that could otherwise be heard in high quality audio applications.

Features

•Constant Impedance Buffers

•Excellent Matching Between Amplifiers

•Linearizing Diodes

•High Output Signal-to-Noise Ratio

•Pb−Free Packages are Available
.
AU5517DR2G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 2.6 mA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 1.125 W

共模抑制比 80 dB

增益频宽积 2 MHz

输入补偿电压 400 µV

输入偏置电流 400 nA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2 MHz

耗散功率Max 1125 mW

共模抑制比Min 75dB ~ 85dB

电源电压Max 30V ~ 50V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AU5517DR2G引脚图与封装图
AU5517DR2G引脚图

AU5517DR2G引脚图

AU5517DR2G封装图

AU5517DR2G封装图

AU5517DR2G封装焊盘图

AU5517DR2G封装焊盘图

在线购买AU5517DR2G
型号 制造商 描述 购买
AU5517DR2G ON Semiconductor 安森美 双通道互导放大器 搜索库存
替代型号AU5517DR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AU5517DR2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOIC

当前型号

双通道互导放大器

当前型号

型号: NE5517DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC

类似代替

NE5517、双运算互电导放大器,ON Semiconductor恒定阻抗缓冲器 放大器之间达到极佳匹配 线性二极管 高输出信噪比 ### 运算放大器,ON Semiconductor

AU5517DR2G和NE5517DR2G的区别

型号: NE5517DG

品牌: 安森美

封装: SOIC 16Pin 50V/us

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  NE5517DG.  芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16

AU5517DR2G和NE5517DG的区别

型号: NE5517D

品牌: 安森美

封装: SOIC-16

类似代替

双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance Amplifier

AU5517DR2G和NE5517D的区别