AU5517DR2G、NE5517DG、NE5517DR2G对比区别

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型号 AU5517DR2G NE5517DG NE5517DR2G

描述 双通道互导放大器ON SEMICONDUCTOR  NE5517DG.  芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16NE5517、双运算互电导放大器，ON Semiconductor恒定阻抗缓冲器 放大器之间达到极佳匹配 线性二极管 高输出信噪比 ### 运算放大器，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

供电电流 2.6 mA 2.6 mA 2.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 1.125 W 1.125 W 1125 mW

共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB

增益频宽积 2 MHz 2 MHz 2 MHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 400 nA 400 nA 400 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 2 MHz 2 MHz 2 MHz

耗散功率(Max) 1125 mW 1125 mW 1125 mW

共模抑制比(Min) 75dB ~ 85dB 75dB ~ 85dB 80 dB

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

针脚数 - 16 16

输出电流(Max) - 650 µA 650 µA

输出电流(Min) - 350 µA 350 µA

电源电压 - 44 V 44 VDC

电源电压(Min) - 4 V 4 V

电源电压(DC) - 44.0 V -

输出电流 - ≥350 A -

转换速率 - 50.0 V/μs -

输入电压(Max) - 5 V -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - - 10 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99