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AU5517DR2G、NE5517D、NE5517DG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AU5517DR2G NE5517D NE5517DG

描述 双通道互导放大器双路运算跨导放大器 Dual Operational Transconductance AmplifierON SEMICONDUCTOR  NE5517DG.  芯片, 跨导放大器, 2MHZ, SOIC-16

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 - 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

电源电压(DC) - - 44.0 V

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出电流 - - ≥350 A

供电电流 2.6 mA 2.6 mA 2.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 16

耗散功率 1.125 W 1125 mW 1.125 W

共模抑制比 80 dB 80 dB 80 dB

转换速率 - - 50.0 V/μs

增益频宽积 2 MHz 2 MHz 2 MHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 400 nA 400 nA 400 nA

输入电压(Max) - - 5 V

输出电流(Max) - - 650 µA

输出电流(Min) - - 350 µA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 2 MHz - 2 MHz

耗散功率(Max) 1125 mW 1125 mW 1125 mW

共模抑制比(Min) 75dB ~ 85dB - 75dB ~ 85dB

电源电压 - - 44 V

电源电压(Max) 30V ~ 50V 44 V 30V ~ 50V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

宽度 - 4 mm 4 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - 10 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99