APT30M40JVR
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT30M40JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 70.0 A
耗散功率 450 W
输入电容 10.2 nF
栅电荷 425 nC
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 10200pF @25VVds
额定功率Max 450 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450W Tc
封装参数
安装方式 Screw
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT30M40JVR引脚图与封装图
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在线购买APT30M40JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT30M40JVR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
替代型号APT30M40JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT30M40JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 300V 70A 10.2nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227 | 当前型号 |
| 型号： APT30M40JVFR 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 300V 70A 10.2nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227 | APT30M40JVR和APT30M40JVFR的区别 |
| 型号： IXFN73N30 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOTOP N-Channel 300V 73A 45mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN73N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V | APT30M40JVR和IXFN73N30的区别 |
| 型号： IXFN73N30Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 N-CH 300V 73A | 功能相似 | SOT-227B N-CH 300V 73A | APT30M40JVR和IXFN73N30Q的区别 |