APT30M40JVR、IXFN73N30Q、IXFN73N30对比区别

高亮显示差异参数

型号 APT30M40JVR IXFN73N30Q IXFN73N30

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 300V 73AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN73N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Chassis Surface Mount

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 300 V - 300 V

额定电流 70.0 A - 73.0 A

耗散功率 450 W 500W (Tc) 520 W

输入电容 10.2 nF - -

栅电荷 425 nC - -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 73A 73.0 A

上升时间 20 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 10200pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 450 W - 520 W

下降时间 4 ns - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 450W (Tc) 500W (Tc) 520W (Tc)

额定功率 - - 520 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.045 Ω

极性 - N-CH N-Channel

阈值电压 - - 4 V

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

宽度 - - 25.42 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99