APT30M40JVR、IXFN73N30、IXFN73N30Q对比区别

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型号 APT30M40JVR IXFN73N30 IXFN73N30Q

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN73N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 300V 73A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Surface Mount Chassis

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 70.0 A 73.0 A -

耗散功率 450 W 520 W 500W (Tc)

输入电容 10.2 nF - -

栅电荷 425 nC - -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 73.0 A 73A

上升时间 20 ns 80 ns -

输入电容(Ciss) 10200pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 450 W 520 W -

下降时间 4 ns 50 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 450W (Tc) 520W (Tc) 500W (Tc)

额定功率 - 520 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.045 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

阈值电压 - 4 V -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

宽度 - 25.42 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -