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APT30M40JVFR、APT30M40JVR、IXFN73N30Q对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT30M40JVFR APT30M40JVR IXFN73N30Q

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227Trans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 300V 73A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 4 - -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 70.0 A 70.0 A -

耗散功率 450W (Tc) 450 W 500W (Tc)

输入电容 10.2 nF 10.2 nF -

栅电荷 425 nC 425 nC -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 70.0 A 73A

上升时间 20 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 10200pF @25V(Vds) 10200pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 450 W 450 W -

下降时间 4 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 450W (Tc) 450W (Tc) 500W (Tc)

极性 - - N-CH

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free