APT18M80B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT18M80B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 18.0 A
极性 N-CH
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 3760pF @25VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT18M80B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APT18M80B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT18M80B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 800V 18A | 当前型号 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： APT8056BVRG 品牌： 美高森美 封装： TO-247 800V 16A 4.44nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin3+Tab TO-247 | APT18M80B和APT8056BVRG的区别 |
| 型号： APT8056BVR 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin3+Tab TO-247 | APT18M80B和APT8056BVR的区别 |