APT18M80B、APT8056BVRG、APT8056BVR对比区别

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型号 APT18M80B APT8056BVRG APT8056BVR

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 18.0 A 16.0 A -

耗散功率 500W (Tc) 370 W -

输入电容 - 4.44 nF -

栅电荷 - 275 nC -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 16.0 A -

上升时间 31 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 3760pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) -

下降时间 27 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 370000 mW -

极性 N-CH - -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -