APT18M80B、APT8056BVR、APT8056BVRG对比区别

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型号 APT18M80B APT8056BVR APT8056BVRG

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247

额定电压(DC) 800 V - 800 V

额定电流 18.0 A - 16.0 A

极性 N-CH - -

耗散功率 500W (Tc) - 370 W

漏源极电压(Vds) 800 V - 800 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 16.0 A

上升时间 31 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 3760pF @25V(Vds) - 3700pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) - 370000 mW

输入电容 - - 4.44 nF

栅电荷 - - 275 nC

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free