制造商型号： | DMNH6021SPDQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMNH6021SPDQ-13
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DMNH6021SPDQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMNH6021SPDQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8.2 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 20.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.4 ns, 5.4 ns
上升时间 6 ns, 6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.2 ns, 14.2 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns, 4.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 116 mg
库存： 16845
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.013386 | 19.01 |
| 10 | 15.745072 | 157.45 |
| 100 | 12.531438 | 1253.14 |
| 500 | 10.603255 | 5301.63 |
| 1000 | 8.996812 | 8996.81 |
品牌其他型号
DMNH6021SPDQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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