制造商型号： | SH8MA4TB1 |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) SH8MA4TB1
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SH8MA4TB1 中文资料
数据手册PDF
SH8MA4TB1 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 8.5 A
漏源电阻 21 mOhms, 29.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.5 nC, 19.6 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 22 ns
上升时间 19 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 3.118686 | 7796.71 |
