制造商型号: | EPC2110ENGRT |
制造商: | EPS |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多EPC2110ENGRT价格库存等采购信息! |
EPS EPC2110ENGRT
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
EPC2110ENGRT 中文资料
数据手册PDF
EPC2110ENGRT 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2110ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss)
120V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
60mOhm @ 4A, 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥27.487286 总价:¥27.49 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 27.487286 | 27.49 |
10 | 24.637688 | 246.38 |
100 | 19.800934 | 1980.09 |
500 | 16.268944 | 8134.47 |
1000 | 13.479868 | 13479.87 |
品牌其他型号
EPC2110ENGRT品牌厂家:EPS
,所属分类: 射频晶体管
,可在锐单商城现货采购EPC2110ENGRT、查询EPC2110ENGRT代理商; EPC2110ENGRT价格批发咨询客服;这里拥有
EPC2110ENGRT中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到
EPC2110ENGRT替代型号
、
EPC2110ENGRT数据手册PDF。