制造商型号： | EPC2106 |
制造商： | EPS |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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EPS EPC2106
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EPC2106 中文资料
数据手册PDF
EPC2106 规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2106
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
70mOhm @ 2A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.73nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
75pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
库存： 82754
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 23.063573 | 23.06 |
| 10 | 19.124066 | 191.24 |
| 100 | 15.223206 | 1522.32 |
| 500 | 12.881194 | 6440.60 |
| 1000 | 10.929391 | 10929.39 |
