制造商型号： | SH8M13GZETB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) SH8M13GZETB
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SH8M13GZETB 中文资料
数据手册PDF
SH8M13GZETB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6 A, 7 A
漏源电阻 22 mOhms, 21.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 5 nC, 18 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 65 ns
正向跨导（Min） 2.5 S, 6 S
上升时间 16 ns, 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 80 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SH8M13
单位重量 83 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.551128 总价：￥13877.82 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 5.551128 | 13877.82 |
