制造商型号： | DMN1003UCA6-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN1003UCA6-7
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DMN1003UCA6-7 中文资料
数据手册PDF
DMN1003UCA6-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 23.6 A
漏源电阻 2.3 mOhms, 2.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 56.5 nC
耗散功率 2.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6208 ns, 6208 ns
上升时间 1694 ns, 1694 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 47479 ns, 4747 ns
典型接通延迟时间 603 ns, 603 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.600 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.079105 | 6237.32 |
| 6000 | 1.975155 | 11850.93 |
| 15000 | 1.90089 | 28513.35 |
品牌其他型号
DMN1003UCA6-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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