制造商型号： | SP8M6FRATB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ROHM(罗姆) SP8M6FRATB
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SP8M6FRATB 中文资料
数据手册PDF
SP8M6FRATB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A, 3.5 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.9 nC, 5.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 10 ns
上升时间 8 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP8M6FRA
单位重量 83 mg
SP8M6FRATB 引脚图与封装图
SP8M6FRATB引脚图
SP8M6FRATB封装图
SP8M6FRATB封装焊盘图
品牌其他型号
SP8M6FRATB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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