制造商型号: | ZXMC3F31DN8TA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMC3F31DN8TA
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ZXMC3F31DN8TA 中文资料
数据手册PDF
ZXMC3F31DN8TA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.3 A, 5.3 A
漏源电阻 24 mOhms, 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 3 V
栅极电荷 12.9 nC, 12.7 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 21 ns
正向跨导(Min) 16.5 S, 14 S
上升时间 3.3 ns, 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 1.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 1680
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 9.637697 | 9.64 |
10 | 8.476231 | 84.76 |
100 | 6.499267 | 649.93 |
品牌其他型号
ZXMC3F31DN8TA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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