制造商型号: | QH8KA1TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | 30V NCH+NCH POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) QH8KA1TCR
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QH8KA1TCR 中文资料
数据手册PDF
QH8KA1TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 56 mOhms, 56 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns, 3.5 ns
正向跨导(Min) 1.7 S, 1.7 S
上升时间 7.5 ns, 7.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 10 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8KA1
单位重量 10 mg
库存: 2279
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.537175 | 7.54 |
10 | 6.437489 | 64.37 |
25 | 6.00997 | 150.25 |
100 | 4.465466 | 446.55 |
250 | 4.242071 | 1060.52 |
500 | 3.486622 | 1743.31 |
1000 | 2.833854 | 2833.85 |