制造商型号： | HS8K11TB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) HS8K11TB
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HS8K11TB 中文资料
数据手册PDF
HS8K11TB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A, 11 A
漏源电阻 12.8 mOhms, 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.1 nC, 20.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.1 ns, 7.5 ns
上升时间 10.8 ns, 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.8 ns, 47.3 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns, 13.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HS8K11
库存： 1372
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.741347 | 8.74 |
| 10 | 7.695252 | 76.95 |
| 100 | 5.895394 | 589.54 |
| 500 | 4.660428 | 2330.21 |
| 1000 | 3.728401 | 3728.40 |
