制造商型号： | HS8K11TB |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多HS8K11TB价格库存等采购信息！ |
ROHM(罗姆) HS8K11TB
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
HS8K11TB 中文资料
数据手册PDF
HS8K11TB 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7 A, 11 A
漏源电阻 12.8 mOhms, 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.1 nC, 20.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.1 ns, 7.5 ns
上升时间 10.8 ns, 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.8 ns, 47.3 ns
典型接通延迟时间 9.4 ns, 13.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 HS8K11
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.705284 | 5115.85 |
| 6000 | 1.587684 | 9526.10 |
| 15000 | 1.528884 | 22933.26 |
| 30000 | 1.470084 | 44102.52 |
