制造商型号： | QH8K22TCR |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) QH8K22TCR
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QH8K22TCR 中文资料
数据手册PDF
QH8K22TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8K22
单位重量 10 mg
库存： 5769
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.404688 | 8.40 |
| 10 | 7.386655 | 73.87 |
| 100 | 5.660735 | 566.07 |
| 500 | 4.474609 | 2237.30 |
| 1000 | 3.579686 | 3579.69 |
