制造商型号: | DMN2023UCB4-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMN2023UCB4-7
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DMN2023UCB4-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2023UCB4-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 1.45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
库存: 45000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 3.217463 | 160.87 |
100 | 2.617518 | 261.75 |
187 | 2.417633 | 452.10 |
375 | 2.199458 | 824.80 |
750 | 1.944994 | 1458.75 |
3000 | 1.835978 | 5507.93 |
品牌其他型号
DMN2023UCB4-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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