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DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

N-Channel 24V 26mΩ 29NC SMT Enhancement Mode Mosfet - X1-WLB1818-4

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 24V 6A Ta 1.45W Surface Mount X1-WLB1818-4


得捷:
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4


贸泽:
MOSFET N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Automotive 4-Pin X1-WLB T/R


DMN2023UCB4-7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.45 W

输入电容 2564 pF

上升时间 20 ns

额定功率Max 1.45 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 X1-WLB1818-4

外形尺寸

封装 X1-WLB1818-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMN2023UCB4-7引脚图与封装图
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DMN2023UCB4-7 Diodes 美台 N-Channel 24V 26mΩ 29NC SMT Enhancement Mode Mosfet - X1-WLB1818-4 搜索库存