DMN2023UCB4-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
耗散功率 1.45 W
输入电容 2564 pF
上升时间 20 ns
额定功率Max 1.45 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 X1-WLB1818-4
封装 X1-WLB1818-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN2023UCB4-7 | Diodes 美台 | N-Channel 24V 26mΩ 29NC SMT Enhancement Mode Mosfet - X1-WLB1818-4 | 搜索库存 |