制造商型号: | QS8J11TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) QS8J11TCR
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QS8J11TCR 中文资料
数据手册PDF
QS8J11TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QS8J11
单位重量 10 mg
库存: 1676
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |